РЕЗОНАТОР АСЛЛИГИНИ МОДУЛЯЦИЯЛАШ УЧУН СУЮҚЛИКЛИ ҚУЁШ ЛАЗЕРЛАРИДА GAAS КРИСТАЛИНИ ҚЎЛЛАШ ИМКОНИЯТИ
##article.subject##:
қуёш лазери, асллик модуляцияси, арсенид галлий, импульс##article.abstract##
Қуёш лазерлари резонаторларида, бир пайтнинг ўзида тўйинувчи ярим ўтказгич арсенид галлий кристаллини асллик модулятори ва чиқувчи ойна сифатида қўллаш имкони кўриб чиқилган. Математик моделлаштири натижалари арсенид галлий кристаллини қуёш лазерлари резонаторларида қўлланилганда, қисқа узунликли импульслар кетма-кетлигини олиш мумкинлигини кўрсатди.
Библиографические ссылки
Котельников С.И. Применение технологии лазерного сканирование для мониторинга нефтеналивных резервуаров// Маркшейдерский вестник. №2. С. 1-5.2016.
Грезев А., В. Грезев и др. «Разработка лазерных технологий для нефтегазовой отрасли» // Станкоинструмент. №2. С. 38-41, 2016.
Hwang, I.H. and Lee, J. H., 1991. Efficiency and Threshold Pump Intensity of CW Solar-Pumped Solid-State Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 27. N. 9.2129–2134.
Brauch U., Muckennschnabel, J., Opower, H. and Wittwer, W. , 1991, Solar-pumped Solid State Lasers for Space to Space Power Transmission” //Space Power, Resources, Manufacturing and Development.Vol. 10. N 3-4.С. 285-294.
Brauch U., Muckennschnabel, J., Thomson, G. A., Bernstein, H., Yogev, A., Reich, A. and Oron, M., 1992. Influence of Operating Temperature on the Power, Divergence, and Stress-Induced Birefringence in Solar-Pumped Solid State Lasers // Optical Engineering, Vol.31. No. 5. 1072-1078.
Голгер А.Л., Гудзенко Л.И., Яковленко С.И. О прямом преобразовании солнечной энергии в лазерное излучение // Квантовая электроника, 5. С.1982. 1978.
Гордиец Б.Ф., Панченко В.Я. Газовые лазеры с солнечным возбуждением // Успехи физических наук. №149.С. 551. 1986.
Серёгин А.А., Серёгина А.Е. Модель жидкостного импульсного лазера космического базирования с накачкой от Солнца // Квантовая электроника. Т 34. №2. С. 99. 2004.
Звельто О. Принципы лазеров.- Москва: «Мир». 1990. С.560.
Бахрамов С. А., Пайзиев Ш. Д. Образование дефектов в кристалле GaAs под воздействием излучения пикосекундного лазера около порога оптического разрушения // Оптика и спектроскопия. 2006. Т. 100. № 3. С. 451 – 453.
