ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ ЖЕЛЕЗА И КОБАЛЬТА
Ключевые слова:
примеси, профили, влияние, термический отжиг, имплантированные атомы, тонкие слои, глубина, дозы облучения, структура, пленка, концентрационное распределение, температуры активацииАннотация
Приводятся результаты исследования профилей распределения имплантированных атомов железа и кобальта в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Полученные результаты хорошо согласуются с аналогичными данными полученными методами вторично-ионно масс спектроскопии (ВИМС). Изучены влияния термического отжига на распределения железа , кобальта и в частности кислорода. Доказано, что при определенных условиях термической обработки и дозах облучения на поверхности монокристалла образуются так называемые эпитаксиальные силициды, которые могут играть роль проводящих слоев или металлических покрытий. Отмечена возможность использования метода РОР для анализа как концентрационного распределения легирующих примесей, так и взаимодействия примесей.
Библиографические ссылки
Gerasimenko.N.N., Parkhomenko Yu.N. Silicon as material for nanoelectronics//Technosfera, M. 2007.352P.
Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., Vilkov O.Yu., Vyalix D.V.//Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
Gomonova M.V., Pronin I.I. // Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
Lopatin O.M. //Ion implantation of minerals and their synthetic analogs –Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А. С., Зоирова М. Э., Эшонхонов А. “Получение пленок CoSi2/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой,твердофазной и реактивнойэпитаксии” ЭОМ, Молдова, 2007, №1, С.88-92.
Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний-материал наноэлектроники. М.: Техносфера,2007.352с.
Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717– 2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051 .
Лопатин О.Н. Ионная имплантация минералов и их синтетических аналогов. – Saabruken: Изд. дом LAP. 2011 . – 206 c.
Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. Т.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
Б.Э Эгамбердиев, А.Т.Рахманов и др. “Исследование методом РОР профиля распределения ионно-имплантированных атомов железа в кремнии”. Science and world, 2018, vol.1, №1(53), с.57-60
Egamberdiev B.E. Rakhmanov A.T. Mallaev A.S. Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
