ЭЛЕКТРОННО-СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ CoSi2 НА КРЕМНИИ
Ключевые слова:
кремний, эпитаксиальный, структура, вакуум, электрон, зона, температура, спектроскопия, CoSi2, метод молекулярно-лучевой эпитаксии, электронноспектроскопический, силицид, пики, спектры, пленкиАннотация
Настоящая работа посвящена исследованию электронной структуры, оптических свойств и электрического сопротивления эпитаксиальных слоев CoSi2 / Si, полученных в условиях сверхвысокого вакуума (p = 10-7 Па) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности Si (111). . Показано, что ширина запрещенной зоны твердых пленок CoSi2 составляет 0,5-0,6 эВ и имеется два максимума плотности электронных состояний в валентной
зоне. Эти пленки обладают низким удельным сопротивлением (p = 20-25 мŌ.см).
Библиографические ссылки
A.B.Zotov, B.B.Korobtsov. Poverkhnost. N-12 (1990) 5.
R.T.Tung et al., Appl. Phys. Lett. V.55, N-19, (1989) 3005.
L.Handerbache et al. Thin Solid Films. V.184 (1990) 317.
J.A.Roth, C. R. Crowell. Application of the silicon/slicide. V.15, N-4 (1978) 1317.
B.E.Egamberdiev,B.Ch.Cholliev,A.S.Mallaev,M.E.Zoirova Receiving films CoSi 2/Si(100) and analysis of their morphology and stekhmomstriya o metodama MLE,TFE and RE //Surface Engineering and Applied Electrochemistry N1,2007,p.88-92.
B.E.Egamberdiev "Ion doping asosida silitsidli tuzilmalarni hosil bo'lish mexanizmlari" Monografiya , Germaniya., изд. » Lamberg» 2020 йил, с.136 ISSN:978-620-2-51428-6
